• 额定电压：3300V AC
• 额定电流：2600A
• 峰值正向电流：4000A
• 导通压降：2.5V
• 门极触发电流：0.5A
• 工作温度：-40°C 至 + 85°C
• 存储温度：-40°C 至 + 125°C

IGCT具有集成的栅极驱动器，可以很容易地卡入堆栈中的正确位置，并连接到其电源和光纤控制。精心设计的压力接触系统确保弹簧的释放会在GCT上施加规定的压力，从而建立所需的电接触和热接触。通过这种方式可实现组装简易性和可靠性。

由于其在晶闸管模式下的导通操作，IGCT具有比可比IGBT器件更低的固有导通损耗。缓冲层可以与IGCT以及IGBT一起使用，它是导致这两个器件具有可比较的开关损耗的公约数（忽略IGBT的较高导通损耗，其实现用于二极管恢复保护的栅极控制di/dt）。改进的损耗特性和无缓冲器操作允许开关频率在500Hz至2kHz范围内的具有成本效益的IGCT应用。