• 高可靠性设计：采用 ABB 先进的功率半导体技术，具备较强的抗浪涌能力和温度适应性，工作温度范围通常覆盖 - 40°C 至 + 125°C（结温），适合恶劣工业环境。
• 模块化集成：可能集成了功率器件（如 IGBT 或晶闸管）、续流二极管及驱动电路，简化系统设计，减少外部接线复杂度。
• 安全保护功能：可能内置过流、过压、过热保护机制，配合外部控制系统可实现快速故障响应，避免故障扩散。

IGCT具有集成的栅极驱动器，可以很容易地卡入堆栈中的正确位置，并连接到其电源和光纤控制。精心设计的压力接触系统确保弹簧的释放会在GCT上施加规定的压力，从而建立所需的电接触和热接触。通过这种方式可实现组装简易性和可靠性。

由于其在晶闸管模式下的导通操作，IGCT具有比可比IGBT器件更低的固有导通损耗。缓冲层可以与IGCT以及IGBT一起使用，它是导致这两个器件具有可比较的开关损耗的公约数（忽略IGBT的较高导通损耗，其实现用于二极管恢复保护的栅极控制di/dt）。改进的损耗特性和无缓冲器操作允许开关频率在500Hz至2kHz范围内的具有成本效益的IGCT应用。