额定电压为 4500V，额定电流为 4000A，具有高无缓冲关断额定值，进行了高电磁抗扰度的优化，安装力为 40kN。其栅极单元与晶片器件的紧密集成确保了从阴极到栅极的传导电流的快速换向，且能承受更高的电压上升率（dv/dt），大多数应用不需要缓冲器。

IGCT具有集成的栅极驱动器，可以很容易地卡入堆栈中的正确位置，并连接到其电源和光纤控制。精心设计的压力接触系统确保弹簧的释放会在GCT上施加规定的压力，从而建立所需的电接触和热接触。通过这种方式可实现组装简易性和可靠性。

由于其在晶闸管模式下的导通操作，IGCT具有比可比IGBT器件更低的固有导通损耗。缓冲层可以与IGCT以及IGBT一起使用，它是导致这两个器件具有可比较的开关损耗的公约数（忽略IGBT的较高导通损耗，其实现用于二极管恢复保护的栅极控制di/dt）。改进的损耗特性和无缓冲器操作允许开关频率在500Hz至2kHz范围内的具有成本效益的IGCT应用。