• 基本参数
  • 额定电压：断态重复峰值电压（VDRM）和反向重复峰值电压（VRRM）均为 4500V。
  • 额定电流：通态平均电流（IT (AV)）为 350A。
  • 浪涌电流：非重复峰值浪涌电流（ITSM）为 8000A（8.3ms）。
  • 通态压降：典型值≤1.5V。
  • 结温范围：工作结温范围为 - 40°C 至 + 125°C。
• 功能特点
  • 高效散热设计：模块通常集成陶瓷基板和金属散热器，支持强制风冷或水冷，确保在高功率运行时的散热效率，防止过热损坏。

IGCT具有集成的栅极驱动器，可以很容易地卡入堆栈中的正确位置，并连接到其电源和光纤控制。精心设计的压力接触系统确保弹簧的释放会在GCT上施加规定的压力，从而建立所需的电接触和热接触。通过这种方式可实现组装简易性和可靠性。

由于其在晶闸管模式下的导通操作，IGCT具有比可比IGBT器件更低的固有导通损耗。缓冲层可以与IGCT以及IGBT一起使用，它是导致这两个器件具有可比较的开关损耗的公约数（忽略IGBT的较高导通损耗，其实现用于二极管恢复保护的栅极控制di/dt）。改进的损耗特性和无缓冲器操作允许开关频率在500Hz至2kHz范围内的具有成本效益的IGCT应用。