这种类型的二极管主要设计用于与GTO反并联使用。GTO需要一个限制dv/dt和di/dt的缓冲器。因此，这些二极管被设计为在关断di/dt为每微秒几百安培、dv/dt在每微秒几百伏范围内的条件下工作。额外的重要特性是在阻断时具有高的宇宙辐射耐受额定值，以及在接通状态和切换期间具有低的电损耗。ABB瑞士有限公司半导体GTO续流二极管产品范围如表1所示。